Смартфон Motorola самовоспламенился в кармане владельца, прожег одежду и полностью расплавился
Стоп-кадры из публикации пользователя shubhxr_369
В социальных сетях набирает популярность видеоролик, демонстрирующий плачевные последствия самопроизвольного возгорания смартфона Motorola. Инцидент произошел, когда гаджет — предположительно, модель Moto G54 — находился в кармане владельца. Потерпевший подчеркивает, что в этот момент устройство пребывало в режиме ожидания и никак не использовалось.
Запись, изначально размещенная пользователем под ником shubhxr_369, получила широкий резонанс благодаря репосту известного блогера Абхишека Ядава в соцсети X. На кадрах отчетливо виден синий смартфон G-серии, получивший фатальные термические повреждения: тыльная панель буквально расплавилась, а экран покрылся трещинами и копотью. Также мужчина продемонстрировал внушительную прожженную дыру на своих джинсах. К счастью, сообщений о серьезных травмах не поступало.
На текущий момент компания Motorola никак не прокомментировала ситуацию, хотя это далеко не единственный подобный эпизод в истории бренда. Напомним, что в феврале 2025 года в Бразилии женщина получила ожоги в результате вспыхнувшего в кармане Moto E32, а в 2024 году на платформе Reddit активно обсуждались жалобы владельцев Moto G Power 5G на критический перегрев и внезапное воспламенение аккумуляторов.
Источник: iXBT
МКС можно эксплуатировать и после 2030 года: технических препятствий нет
Выпущено обновление утилиты мониторинга HWiNFO 8.60
Конец легенды: как стареют и уходят на покой лучшие гаджеты
Один из самых популярных смартфонов в мире получил Android 17: Samsung выпустила One UI 9.0 для Galaxy A15 4G за пределами Южной Кореи
В здании бывшего вычислительного центра Госплана СССР создадут ЦОД за 150 млн рублей
В США на глубине 1,5 километра строят гигантский детектор нейтрино с 17 тысячами тонн жидкого аргона для изучения Вселенной
600 МВт на высоте 4 километров: Китай строит гигантский накопитель энергии
Российскую микроэлектронику объединяют в холдинг: к ОМК присоединят два актива, включая центр фотошаблонов для чипов до 28 нм