Смартфон LG G7 ThinQ получит аппаратную кнопку для вызова Google Assistant
Сетевые источники пролили свет на некоторые конструктивные особенности флагманского смартфона LG G7 ThinQ, анонс которого ожидается в следующем месяце.
@Evleaks
«Осведомлённые лица» подтверждают ранее появившиеся сведения о том, что новинка получит физическую кнопку для вызова ИИ-функции. Более того, утверждается, что модель G7 ThinQ станет первым смартфоном на рынке, который будет оборудован аппаратной клавишей, отвечающей исключительно за активацию помощника Google Assistant: перенастроить эту кнопку под другие функции не удастся.
Отмечается, что ИИ-клавиша расположится в левой боковой части корпуса. На противоположной стороне будет установлена кнопка питания. Для размещения дактилоскопического сканера выбрана задняя панель.
На сегодня известно, что смартфон получит мощный процессор Qualcomm Snapdragon 845 с восемью ядрами Kryo 385 с тактовой частотой до 2,eight ГГц и графическим ускорителем Adreno 630. Объём оперативной памяти составит не менее 6 Гбайт.

Опубликованные ранее изображения говорят о наличии выреза в верхней части экрана. Размер дисплея якобы составит 6,1 дюйма по диагонали, разрешение — 3120 × 1440 точек. Наконец, упомянута сдвоенная 16-мегапиксельная камера.
Анонс LG G7 ThinQ ожидается 2 мая на специальном мероприятии в Нью-Йорке (США).
Источник: 3DNews
МКС можно эксплуатировать и после 2030 года: технических препятствий нет
Выпущено обновление утилиты мониторинга HWiNFO 8.60
Конец легенды: как стареют и уходят на покой лучшие гаджеты
Один из самых популярных смартфонов в мире получил Android 17: Samsung выпустила One UI 9.0 для Galaxy A15 4G за пределами Южной Кореи
В здании бывшего вычислительного центра Госплана СССР создадут ЦОД за 150 млн рублей
В США на глубине 1,5 километра строят гигантский детектор нейтрино с 17 тысячами тонн жидкого аргона для изучения Вселенной
600 МВт на высоте 4 километров: Китай строит гигантский накопитель энергии
Российскую микроэлектронику объединяют в холдинг: к ОМК присоединят два актива, включая центр фотошаблонов для чипов до 28 нм