Публикуя квартальный отчет, компания SK Hynix затронула тему памяти DDR5. Южнокорейский производитель подтвердил, что намерен начать массовое производство этой памяти в текущем полугодии. Память DDR5 будет использоваться несколькими платформами следующего поколения от Intel и AMD.
Согласно данным SK Hynix, память DDR5 более чем в два раза превосходит память DDR4 по пропускной способности, тогда как переход от DDR3 к DDR4 в 2013 году сопровождался увеличением пропускной способности на 33%.
Компания также объявила, что скоро начнет поставки микросхем DRAM, выпускаемых по нормам 1anm с использованием EUV-литографии.
Представлен доступный смартфон Realme P4s Lite: батарея на 7000 мА·ч с ресурсом 6 лет и экран 120 Гц от $170
«МегаФон» впервые провел испытания 5G-роутера для российских сетей
Продажи iQOO 16 рухнули вдвое по сравнению с iQOO 15 несмотря на топовый экран, мощную батарею и защиту IP69
Представлен Vivo Y600k Turbo: батарея на 9020 мА·ч, зарядка 90 Вт и экран на 5000 нит
Ракета для запуска миссии Tranche 1 установлена на стартовый стол
У видеокарты GeForce RTX 5090 расплавился кабель питания с двух сторон, а Pny отказалась по гарантии менять ускоритель
Космический аппарат ОАЭ для изучения семи астероидов полностью готов к пуску
США выделили миллион долларов на защиту ядерных реакторов с помощью жидкого висмута