Компания SK hynix объявила о начале серийного производства микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ, который является максимальным в отрасли.
Скорость работы новой памяти достигает 6400 Мбит/с. Это примерно на 20% больше максимальной скорости существующих микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5, равной 5500 Мбит/с.
Новая память предназначена для смартфонов премиум-класса. Первые микросхемы DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ производства SK hynix можно будет встретить в разрабатываемом сейчас игровом смартфоне Asus ROG 5.
В SK hynix также ожидают, что область применения памяти DRAM LPDDR5 продолжит расширяться и охватит такие направления, как высокоскоростные камеры и искусственный интеллект.
Гибридный VTOL перешел на пассивное охлаждение батарей: новый подход Jaunt
В Техасе на месте выставочного комплекса возведут дата-центр на 245 МВт
Исследователи проложили «четырёхполосную магистраль» на одном фотонном чипе
Electronic Arts провела делистинг и ушла с биржи с долгом в $20 млрд
Яндекс 360 обновил Алису Про в Таблицах и открыл платформу ботов
Infinix HOT 70 официально представлен в России
МГТУ им. Баумана начал обучать инженеров работе с платформой «Боцман»
Новый катализатор приблизит эру литий-кислородных батарей с долгим зарядом