Компания SK hynix объявила о начале серийного производства микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ, который является максимальным в отрасли.
Скорость работы новой памяти достигает 6400 Мбит/с. Это примерно на 20% больше максимальной скорости существующих микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5, равной 5500 Мбит/с.
Новая память предназначена для смартфонов премиум-класса. Первые микросхемы DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ производства SK hynix можно будет встретить в разрабатываемом сейчас игровом смартфоне Asus ROG 5.
В SK hynix также ожидают, что область применения памяти DRAM LPDDR5 продолжит расширяться и охватит такие направления, как высокоскоростные камеры и искусственный интеллект.
Korean Air оснастила самолёты безлимитным и бесплатным интернетом Starlink
За $2000 iPhone Duo оснастили странным «приватным экраном», который мутнеет на свету
В России стартовали продажи квантовых компьютеров мощностью до 10 кубитов
Российская ракета «Союз-2.1б» с устраненными неполадками в третьей ступени возвращена на стартовый комплекс Байконура
Анонсированы Oppo Watch S2: тонкие умные часы с ЭКГ, измерением температуры и 10 днями автономности
Ученые выяснили: живущие у закрытой ядерной лаборатории в Калифорнии страдают аутоиммунными болезнями в 4,5 раза чаще
Анонсирован флагманский 4K-проектор Dangbei X9 Max с лазером QuaLas42 и яркостью 5000 ISO люмен