Компания SK hynix объявила о начале серийного производства микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ, который является максимальным в отрасли.
Скорость работы новой памяти достигает 6400 Мбит/с. Это примерно на 20% больше максимальной скорости существующих микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5, равной 5500 Мбит/с.
Новая память предназначена для смартфонов премиум-класса. Первые микросхемы DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ производства SK hynix можно будет встретить в разрабатываемом сейчас игровом смартфоне Asus ROG 5.
В SK hynix также ожидают, что область применения памяти DRAM LPDDR5 продолжит расширяться и охватит такие направления, как высокоскоростные камеры и искусственный интеллект.
Четырёхкратный скачок за год: 256-гигабайтные SSD дорожают, и рост цен может продолжиться
Мини-ПК размером с карманный по цене бюджетного смартфона: Acemagic W1-5400U с богатым набором портов обойдётся всего в $235
OnePlus Ace 7 Pro получит аккумулятор на 9000 мАч, 100-ваттную зарядку, голубой корпус и настраиваемую подсветку
Роботы научились прыгать и хватать предметы благодаря живым мышцам: био-гибридный прорыв ETH Zurich
Micron вдвое увеличила плотность флеш-памяти и преодолела порог в 400 слоёв NAND
Corsair научила блок питания аварийно отключать видеокарту, чтобы защитить разъём от оплавления
Впервые лазер смог превратить плазму в передатчик радиосигнала
Ноутбук толщиной 1,8 см с 128 ГБ памяти и графикой Blackwell: представлен Dell XPS 16 Creator Edition