SK hynix начинает серийный выпуск микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5 объемом 18 ГБ

Компания SK hynix объявила о начале серийного производства микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ, который является максимальным в отрасли.

Скорость работы новой памяти достигает 6400 Мбит/с. Это примерно на 20% больше максимальной скорости существующих микросхем мобильной памяти DRAM LPDDR5, равной 5500 Мбит/с.

Новая память предназначена для смартфонов премиум-класса. Первые микросхемы DRAM LPDDR5 объёмом 18 ГБ производства SK hynix можно будет встретить в разрабатываемом сейчас игровом смартфоне Asus ROG 5.

В SK hynix также ожидают, что область применения памяти DRAM LPDDR5 продолжит расширяться и охватит такие направления, как высокоскоростные камеры и искусственный интеллект.