Смартфон Redmi K50 Gaming Edition прошёл сертификацию китайского регулятора 3C, который подтвержил, что устройство будет поддерживать быструю зарядку мощностью 120 Вт. Ранее известный инсайдер Digital Chat Station первым сообщил, что устройство получит 120-ваттный блок питания.
Также инсайдер утверждает, что Redmi K50 Game Enhanced Edition будет построен на базе однокристальной системы MediaTek Dimensity 9000. Ожидается, что Redmi K50 Game Enhanced Edition получит OLED-дисплей разрешением 2K с частотой 120 Гц или 144 Гц. Он будет иметь четыре камеры, включая 64-мегапиксельный датчик Sony Exmor IMX686. Также будет установлен широкоугольный датчик OV13B10 разрешением 13 Мп и 8-мегапиксельный VTech OV08856. Четвёртым сенсором будет 2-мегапиксельный датчик глубины резкости GC02M1 от GalaxyCore. Возможно, будет ещё одна версия с датчиком Samsung ISOCELL HM2 разрешением 108 Мп.
Смартфон получит большую аккумуляторную батарею, сверхбыструю зарядку, стереодинамики JBL и прочие флагманские характеристики.
Digital Chat Station первым точно сообщил характеристики и даты выхода Redmi K30, K40, Xiaomi Mi 10 и Mi 11.
Представлен Vivo Y600k Turbo: батарея на 9020 мА·ч, зарядка 90 Вт и экран на 5000 нит
Ракета для запуска миссии Tranche 1 установлена на стартовый стол
У видеокарты GeForce RTX 5090 расплавился кабель питания с двух сторон, а Pny отказалась по гарантии менять ускоритель
Космический аппарат ОАЭ для изучения семи астероидов полностью готов к пуску
США выделили миллион долларов на защиту ядерных реакторов с помощью жидкого висмута
Samsung создаст ультратонкий флагманский смартфон толщиной 3,9 мм
На месте бывшей АЭС в Шотландии возведут дата-центр на 1 ГВт стоимостью 16,5 млрд фунтов
Oracle выплатит долг в $300 млн: жители Висконсина освобождены от роста тарифов