Samsung выпустила первые образцы DRAM по техпроцессу 10 нм класса «a»

Согласно информации, полученной корейским порталом The Elec от инсайдеров отрасли, компания Samsung достигла принципиально важного результата в совершенствовании памяти: получены первые рабочие кристаллы DRAM, созданные по техпроцессу 10a (9,5–9,7 нм). Этот переход знаменует собой покорение знакового рубежа в 10 нанометров. Для всей полупроводниковой индустрии данный успех является ключевым индикатором того, что концептуальные разработки успешно воплощены в действующем кремнии.

В основе новой платформы оперативной памяти Samsung лежит ряд глубоких архитектурных преобразований. Прежде всего, разработчики отказались от устаревшей топологии 6F Square в пользу более прогрессивной и компактной структуры 4F Square. Это решение позволяет повысить плотность размещения ячеек на кристалле сразу на 30–50%.

Для нейтрализации негативных эффектов, связанных с миниатюризацией, инженеры внедрили технологию вертикальных каналов транзисторов (VCT) и применили инновационный материал IGZO. Данная комбинация способствует более эффективному удержанию заряда и минимизации токов утечки, что критически важно при столь малых геометрических размерах компонентов.

Дополнительным важным нововведением стало разделение логических и периферийных узлов памяти. Часть вспомогательной схемотехники переносится на отдельный слой, который интегрируется с основной пластиной посредством гибридного соединения типа wafer-to-wafer (PUC).

Текущие планы Samsung Electronics предполагают финализацию разработки стандарта 10a DRAM до конца 2026 года, проведение этапа квалификационных испытаний в 2027 году и выход на полномасштабное производство в 2028 году. Реализация этого графика позволит компании существенно укрепить конкурентные преимущества и подготовить почву для перехода к перспективным 3D-архитектурам DRAM.

Источник: iXBT