Samsung переводит большое количество инженеров в свой центр передовых полупроводников для повышения качества HBM-памяти, сообщает SBS

Samsung Electronics провела значительные изменения в кадровой структуре, перенаправив инженеров в инновационный центр полупроводников, расположенный в Пхёнтхэке, как сообщает издание digitimes.

Согласно корейским источникам, эти перемены были инициированы исполнительным вице-президентом Samsung и руководителем подразделения решений для устройств (Device Solutions, DS) Юнг-Хён Джуном (Young-hyun Jun).

Основной задачей реорганизации является усиление эффективности в современных процессах производства DRAM и устранение технического отставания в области высокоскоростной памяти (HBM). Это стратегически важная мера для возобновления роста полупроводникового сектора компании.

Южнокорейское издание SBS информирует, что более 2000 инженеров из кампусов Samsung Giheung и Hwaseong были перемещены в Пхёнтхэк. Это сделано для того, чтобы специалисты находились ближе к производственным мощностям, что способствует улучшению процессов управления и повышению качества продукции.

Реорганизация направлена на инженеров, которые специализируются на увеличении выходных показателей продукции в процессе перехода от разработки ко множественному производству.

По сообщениям, Samsung активизировала закупку оборудования для своего завода P4 в Пхёнтхэке, где предполагается начало массового выпуска памяти DRAM шестого поколения с техпроцессом 10-нм (1с DRAM).

Тем не менее, компания заявила, что данные утверждения не основаны на фактах.

Источник: iXBT