В марте 2019 года Samsung Electronics подала патентную заявку на «Электронное устройство, включая индикатор». 44-страничная документация была опубликована Всемирной организацией интеллектуальной собственности 1 октября 2020 г.
Ресурс Letsgodigital создал на основании патентных изображений трёхмерную модель потенциального смартфона Samsung Galaxy Z Fold3, который должен включать светодиодный индикатор, расположенный на внешней части шарнира.
В документе говорится, что на этом третьем «экране» смогут отображаться оттенки различных цветов для уведомления пользователя о звонках, сообщениях и прочих событиях. Если смартфон лежим внешним экраном вниз, то вы можете пропустить звонок или важное сообщение. Это должна исправить светодиодная полоска.
Также сообщается, что Samsung также изучает возможность оснастить будущие складные телефоны стилусами S Pen. Это имеет смысл, так как Galaxy Note21, который выйдет в следующем году, может стать последним смартфоном линейки. Ранее сообщалось, что Samsung переключает внимание на сгибающиеся смартфоны, которые будут настоящими флагманами.
Samsung, вероятно, проведет новое мероприятие Galaxy Unpacked в феврале 2021 года. Во время мероприятия ожидается анонс серии Galaxy S21, которая получит аккумуляторы печально известного производителя взрывающихся батарей Galaxy Note7. Также компания может показать Galaxy Z Fold3, который выйдет во второй половине 2021 года.

В Китае поступил в продажу мини-смартфон Unihertz Titan 2 Elite с QWERTY-клавиатурой
Старликром оснастили свыше 770 пассажирских вагонов в Казахстане
SpaceX накрывает стартовую площадку гигантской крышей для поимки Starship и Super Heavy
Samsung приступила к разработке One UI 9.5 для будущей линейки Galaxy S26
Китай доставит полкилограмма марсианского грунта для поиска следов жизни к 2028 году
Российские госзаказчики массово переходят с «Катюши» на более дешевые принтеры HP, Canon и Kyocera
Анонсированы часы Casio G-Shock Frogman GWF-D1000BC-1JF с сапфировым стеклом, автономностью до 23 месяцев и защитой до 200 метров
В России создадут собственную САПР для разработки 28-нм чипов