По данным источника, компания Samsung Electronics намерена инвестировать в расширение производства для датчиков изображения типа CMOS.
Как утверждается, южнокорейский электронный гигант разрабатывает подробный план по переводу части своих производственных линий в Хвасоне, занятых выпуском памяти DRAM, на производство для датчиков изображения типа CMOS.
В 2018 году компания уже превратила часть 11-й производственной линии, выпускающей DRAM и рассчитанной на 300-миллиметровые пластины, в линию по выпуску датчиков изображения, получившую обозначение S4. На этот раз компания планирует переориентировать часть мощностей 13-й линии.
Производственная линия, занятая выпуском DRAM, может быть легко преобразована в линию, изготавливающую датчики изображения, поскольку процессы, применяемые при производстве этих видов продукции, на 80% идентичны. Часть оборудования для литографии, вакуумного осаждения, травления и тестирования, используемого для производства DRAM, можно использовать для изготовления датчиков изображения.
Отраслевые эксперты утверждают, что серийный выпуск датчиков изображения на преобразованной линии может начаться уже в текущем году. Они прогнозируют, что Samsung потратит как минимум один триллион вон на этот проект, но это меньше, чем потребовалось бы для создания новых производственных мощностей.
Источник: iXBT
