Samsung Electronics отложила запуск серийного производства памяти DRAM нового поколения из-за технических сложностей

Корпорация Samsung Electronics приняла решение скорректировать график внедрения седьмого поколения 10-нанометровой технологии (D1d) для выпуска DRAM-памяти.

Согласно сведениям издания Chosun, первоначальный план предусматривал запуск тестовых мощностей в первом квартале с последующим переходом к полноценному серийному производству. Однако старт массовой отгрузки пришлось отложить: технологический процесс пока не обеспечивает требуемого уровня выхода годных кристаллов.

Для Samsung этот техпроцесс имеет стратегическое значение, так как именно он станет фундаментом для создания высокоскоростной памяти стандарта HBM5E. Ранее компания заявляла об амбициозных планах по сокращению цикла разработки новых поколений HBM в два раза, однако текущие производственные сложности ставят реалистичность этих сроков под вопрос.

Впрочем, до появления HBM5E ещё довольно много времени. Сегодня индустрия сфокусирована на подготовке к интеграции решений стандарта HBM4 в конечные устройства. В планах Samsung значится демонстрация образцов HBM4E во втором полугодии, с последующим внедрением в серийные продукты в следующем году. И лишь по прошествии этих этапов компания приступит к HBM5 и перспективной HBM5E.

Источник: iXBT