Samsung анонсировала сверхскоростную память HBM4E на 48 ГБ и накопитель PM1763 с поддержкой PCIe 6.0

В рамках технологического форума GTC 2026 компания Samsung анонсировала передовые решения для ИИ-инфраструктуры Nvidia, включая память нового поколения HBM4E, накопители стандарта PCIe Gen6 и инновационные модули SOCAMM2. Ключевым событием презентации стал дебют архитектуры HBM4E.

Изображение: Samsung

Согласно спецификациям производителя, чипы HBM4E демонстрируют впечатляющую производительность: до 16 Гбит/с на контакт при пропускной способности стека до 4 ТБ/с. При емкости 48 ГБ на один стек такие решения позволят будущим системам Rubin Ultra оперировать 384 ГБ видеопамяти с совокупной скоростью обмена данными до 64 ТБ/с, что существенно превосходит возможности стандартной версии Rubin.

Параллельно Samsung подтвердила старт массового производства базовой памяти HBM4, предназначенной для платформы Nvidia Vera Rubin. Данные модули обеспечивают скорость передачи данных на уровне 11,7 Гбит/с с потенциалом масштабирования до 13 Гбит/с.

Изображение: Samsung

Особое внимание уделили технологии гибридного медного соединения (HCB). Эта методика позволяет создавать сверхплотные стеки из 16 и более слоев, одновременно снижая тепловое сопротивление более чем на 20% в сравнении с традиционными способами компоновки слоев памяти.

В серверном сегменте были представлены уже выпускаемые серийно модули SOCAMM2 и высокопроизводительный SSD-накопитель PM1763 с интерфейсом PCIe 6.0, оптимизированный для ИИ-задач. Линейка для мобильных устройств пополнилась чипами LPDDR5X со скоростью до 25 Гбит/с и улучшенной на 15% энергоэффективностью, а также перспективной памятью LPDDR6, рассчитанной на скорости 30–35 Гбит/с и получившей интеллектуальные механизмы контроля питания.

Источник: iXBT