Слухи о том, что у смартфона Samsung Galaxy S10+ обрели под собой реальную основу: южнокорейская компания сегодня официально представила память UFS 2.1 такого объема.
Модуль eUFS объемом 1 ТБ имеет габариты предшественника объемом 512 ГБ – 11,5 х 13 мм. Он состоит из фирменного контроллера, «разработанного заново», и 16 слоев флэш-памяти V-NAND плотностью 512 Гбит.
Скорости последовательного чтения и записи накопителя составляют 1000 и 260 МБ/с соответственно, производительность при случайном чтении и записи – 58 000 и 50 000 IOPS соответственно. Каждый из этих параметров больше, чем у версии eUFS объемом 512 ГБ, что как раз легко объясняется доработкой контроллера.
Samsung уже приступила к массовому производству eUFS объемом 1 ТБ, в первой половине года планируется нарастить объемы выпуска этих модулей памяти на фабрике Пхёнтхэк (Pyeongtaek) в Южной Корее.
Источник: iXBT
