Компания Samsung анонсировала инновационную технологию памяти, получившую название Selector-Only Memory (SOM). Она объединяет высокую скорость чтения и записи, аналогичную DRAM, с энергонезависимостью и возможностью увеличения объема. Для ускорения разработки SOM компания применила передовые методы компьютерного моделирования.
Технология SOM основывается на перекрестных архитектурах памяти, как, например, в фазовызывающих и RRAM-памяти, которые используют многослойные массивы электродов. Обычно эти архитектуры требуют применения транзисторов-селекторов или диодов для адресации определенных ячеек памяти.
Компания внедрила свежий подход, изучая материалы на базе халькогенидов, которые совмещают задачи селектора и элемента памяти, создавая новую форму энергонезависимой памяти. Исследователи из Samsung представят свои открытия на Международной конференции электронных приборов (IEDM) в этом году, которая пройдет с 7 по 11 декабря в Сан-Франциско.
Южнокорейская технологическая корпорация провела отбор множества халькогенидных материалов для SOM и проанализировала более 4000 комбинаций, сузив их до списка из 18 с помощью компьютерного моделирования Ab-initio. Главное внимание уделялось улучшению дрейфа порогового напряжения и оптимизации диапазона памяти — двух критически важных параметров для производительности SOM.
Традиционные исследования SOM были ограничены использованием халькогенидов Ge, As и Se, находящихся в пороговых переключателях овонов (OTS). Однако Samsung утверждает, что ее продвинутый моделирующий процесс позволил расширить область поиска, учитывая связи, термическую стабильность и надежность устройства для повышения качества работы и эффективности.
На последующей презентации IEDM исследователи из IMEC разберут потенциальные атомные механизмы, такие как локальная перестройка атомных связей и атомная сегрегация, которые могут объяснить функционирование селекторного компонента в SOM, существенно влияя на пороговое напряжение — ключевой фактор производительности памяти.
Источник: iXBT
