Разработан транзистор, способный удерживать тысячи стабильных состояний памяти

Специалисты Нанкинского университета аэронавтики и астронавтики (КНР) представили инновационный сегнетоэлектрический транзистор атомарной толщины. Конструкция устройства базируется на использовании графена и гексагонального нитрида бора (hBN), которые при наслоении образуют специфическую муаровую сверхрешетку.

Ключевым преимуществом разработки стала способность фиксировать 3 024 уникальных состояния поляризации, что на два порядка превосходит показатели существующих систем. Таких результатов удалось добиться благодаря контролируемому скольжению слоев относительно друг друга и прецизионному управлению электрическими импульсами.

Новый транзистор продемонстрировал впечатляющую стабильность, сохраняя состояние более 100 000 секунд. В ходе тестов на решение задач искусственного интеллекта точность распознавания образов составила 93%. Компонент сохраняет работоспособность как при комнатной температуре, так и в условиях нагрева, а его лаконичная архитектура существенно упрощает потенциальное масштабирование.

Подобные технологические решения могут стать фундаментом для создания сверхэффективных нейроморфных процессоров и накопителей памяти следующего поколения. Дальнейшие планы исследователей включают адаптацию технологии для массового производства и повышение быстродействия системы.

Источник: iXBT