Прямое соединение медных элементов при низкотемпературных условиях: революция в создании микрочипов
Свежеполученная электролитически осажденная нанокристаллическая медь со средним размером зерен 50 нм. Источник: Nature Communications (2024). DOI: 10.1038/s41467-024-51510-7
В Городском университете Гонконга была разработана инновационная технология создания нанокристаллической меди, которая позволяет напрямую соединять медные детали при пониженных температурах. Это достижение открывает перед учеными новые горизонты в разработке современных микрочипов.
Под руководством профессора Шьен-Пин Фэна из Департамента системной инженерии исследовательская группа успешно создала нанокристаллический медный материал, который обеспечивает надежное соединение при более низких температурах по сравнению с традиционными методами. Результаты работы были опубликованы в престижном научном журнале Nature Communications.
Потенциал использования нанокристаллической меди для непосредственного соединения давно привлекает внимание ученых, однако были две значительные проблемы. Во-первых, материал обладал множеством межзёренных границ, где накапливались примеси, мешающие росту зерен при низких температурах. Во-вторых, при осторожном нагревании нанокристаллы увеличивались лишь на верхней поверхности, что вызывало образование пустот в нижнем медном слое.
Исследователи решили эти задачи, создав стратегическую двухслойную конструкцию. В ней слой с крупными зернами действует как «ловушка» для примесей, что позволяет контролировать их диффузию и предотвращает образование пустот.

«Наша разработка добавок позволяет электрохимически осаждать нанокристаллическую медь с однородными размерами зерен и низким содержанием примесей, что способствует быстрому росту зерен при пониженных температурах», — объясняет профессор Фэн.
Способность соединять медные компоненты при низких температурах открывает новые перспективы для проектирования современных микрочипов. Инженеры способны интегрировать различные виды микросхем, особенно те, что чувствительны к нагреву, в компактные трехмерные структуры высокой плотности. Данный прорыв оказывает значительное влияние на развитие сфер искусственного интеллекта, высокопроизводительных вычислений, сетей 5G и систем дополненной и виртуальной реальности.
В настоящее время команда сотрудничает с производителями полупроводников, чтобы внедрить новую технологию соединения в существующие производственные процессы, включая термокомпрессионную и гибридную пайку.
Источник: iXBT
TCL представила два огромных телевизора: 163-дюймовый Micro LED и 130-дюймовый Mini LED
Карту «Тройка» теперь можно пополнить в чате с «Алисой AI»
Gemini 4 Carbon за два часа превратила iPhone Duo в ноутбук на Windows 11 без джейлбрейка
Главная особенность One UI 9.5: смартфоны Samsung Galaxy получат ИИ-ассистента, способного самостоятельно выполнять множество задач
Илон Маск творит историю: SpaceX впервые посадила Starship на башню Mechazilla
Corsair представила кабель с шестью выключателями для GeForce RTX 5090, RTX 5080 и других ускорителей с разъёмом 12V-2×6
Более 100 тысяч человек подписали петицию о возвращении Дженсена Хуанга на пост главы Nvidia
В Австрии протестировали ровер для миссии на Марс в 2027 году: он будет доставлять инструменты и образцы