Правительство Японии поддержало развитие Z-памяти Intel

Японская организация NEDO официально признала технологию ZAM многообещающим стандартом памяти, способным составить конкуренцию решениям HBM.

Компания Intel сообщила о значимых достижениях в области создания инновационной памяти ZAM (Z-Angle Memory), над которой она работает в сотрудничестве с SoftBank. Согласно официальному заявлению Intel K.K., японский государственный институт NEDO выбрал данную архитектуру в качестве приоритетного стандарта, видя в ней реальную альтернативу существующим стекам HBM.

Решение NEDO подразумевает предоставление государственных субсидий, что должно существенно ускорить темпы разработки и внедрения технологии. Основная задача инициативы — преодолеть глобальный дефицит высокопроизводительной памяти, остро ощущаемый в секторах искусственного интеллекта и серверных вычислений. Японская поддержка также направлена на формирование широкого альянса производственных, технологических и логистических партнеров по всему миру.

Концепция ZAM была представлена в начале года как совместный ответ Intel и SoftBank на вызовы рынка памяти. Новая архитектура спроектирована с прицелом на высокую плотность размещения данных, значительную пропускную способность и экономное энергопотребление. Как отметил президент Intel K.K. Макото Оно, многолетние научные изыскания, включая наработки национальных лабораторий США и проекты по созданию DRAM нового поколения, доказали состоятельность этой технологии и её готовность к выходу на рынок.

Техническая реализация ZAM позволяет добиться снижения затрат энергии на 40–50% при упрощении производственных циклов и возможности доведения объема одного модуля до 512 ГБ. Память базируется на плотной вертикальной упаковке DRAM-кристаллов, соединенных через уникальные Z-образные межсоединения. Интеграция стеков с вычислительным ядром осуществляется посредством фирменной технологии EMIB, размещаемой непосредственно под базовым кристаллом.

Источник: iXBT.games