Корпорация Samsung сообщает, что успешно преодолела все препятствия на пути к внедрению 10-нм техпроцесса FinFET второго поколения и теперь его можно использовать в массовом производстве микроэлектроники. Речь идёт о техпроцессе класса LPP (Low Power Plus), который отлично подходит для производства различных процессоров и прочих чипов для планшетов, смартфонов и прочих экономичных устройств, но не очень годится для создания мощных процессоров для ПК и серверов. Такое деление технологических процессов одной размерности на две группы, одна из которых ориентирована на экономичность и дешевизну, а вторая на сложность и производительность, возникло уже достаточно давно.
Новый техпроцесс Samsung 10LPP представляет собой доработку более раннего процесса 10LPE (Low Power Early), который был использован в производстве таких решений, как мобильная платформа Qualcomm Snapdragon 835 и 48-ядерный сетевой процессор Centriq 2400. Ну и, разумеется, Samsung не была бы собой, если бы не использовала свой техпроцесс в первую очередь для производства новейшего мобильного процессора собственной разработки — Exynos 8895. Процесс 10LPP обеспечивает 10 % прироста производительности в сравнении с 10LPE, либо, при равной производительности, до 15 % снижения энергопотребления.
Улучшения не слишком заметные, но с учётом сферы применения таких техпроцессов, а это, в основном, мобильные устройства, питающиеся от аккумуляторов (а заметной революции в создании сверхъёмких батарей так и не произошло, несмотря на многочисленные победные реляции), здесь каждый милливатт на счету. Да и с учётом замедления действия закона Мура даже 10 % годового прироста производительности выглядят неплохо. Следующим в планах Samsung значится техпроцесс 10LPU, который станет уменьшенной версией процесса 14LPU. Компания надеется с его помощью снизить производство, но станет ли он основой для мощных процессоров, неизвестно. Возможно, будет выпущена ещё одна версия 10-нм техпроцесса специально для этой цели. Samsung Electronics не отступается и от планов освоения 7-нм технологических норм, для чего по-прежнему планирует использовать экстремальный ультрафиолет (EUV, длина волны 121‒10 нм).
Источник: 3DNews