На февральской конференции ISSCC покажут видеопамять на 48 ГГц и ОЗУ на 14,4 ГГц

Пока компания Samsung приступила к серийному выпуску 3-гигабайтных микросхем GDDR7 с эффективной частотой 28 ГГц и тестирует образцы на 36 ГГц, Hynix готовит к демонстрации ещё более высокоскоростную память.

На конференции ISSCC, которая пройдёт в феврале 2026 года, обещают представить сразу несколько прорывных решений в области памяти. Одна из главных новинок — 3-гигабайтный чип GDDR7 от Hynix с эффективной частотой передачи данных 48 ГГц. Для сравнения: современные графические ускорители серии RTX 50 оснащаются модулями с частотой лишь 28–30 ГГц.

Разумеется, пока это лишь демонстрационный вариант, и о сроках выхода подобных чипов в коммерческих продуктах ничего не сообщается. Вероятно, их внедрят в будущей линейке RTX 60. При этом 128-битная шина в сочетании с такой скоростью передачи обеспечит пропускную способность, сравнимую с 256-битными решениями на 24 ГГц — и это уже весьма впечатляющий показатель.

Кроме того, в рамках мероприятия представят новые модули оперативной памяти LPDDR6-14400, которые по скорости заметно превзойдут существующие стандарты.

Samsung же намерена продемонстрировать свои исследования в области HBM4. Стек объёмом 36 ГБ обещает достигать пропускной способности до 3,3 ТБ/с на каждый модуль.

Источник: iXBT