Micron вдвое увеличила плотность флеш-памяти и преодолела порог в 400 слоёв NAND

Компания Micron Technology рассказала о планах по выпуску следующего поколения трёхмерной флеш-памяти. Индекс G10 в линейке решили пропустить и сразу перешли к G11. Производитель официально подтвердил, что число слоёв в новой памяти превысит 400. Это как минимум на 45% больше, чем у актуальной G9 с 276 слоями, на которой построены, например, накопители Crucial P510.

Рост этажности — не единственный путь к большей ёмкости. Новый техпроцесс и рекордно малый шаг ячеек позволили почти вдвое поднять битовую плотность G11 относительно G9. Если взять прежний показатель TLC-памяти в 21 Гбит на квадратный миллиметр и удвоить его, получится около 42 Гбит/мм². Это лишь оценка, а не окончательное значение: Micron не уточнила, относится ли заявление только к TLC или также к QLC.

Кроме того, Micron переходит на технологию гибридного соединения пластин «wafer-on-wafer»: массив ячеек памяти и схемы ввода-вывода производятся раздельно, после чего соединяются в единую структуру. До неё такой подход уже освоили YMTC, Kioxia, SanDisk и Samsung. Ускорится и интерфейс: скорость обмена данными между контроллером и NAND вырастет на 50% по сравнению с G9 — с 3,6 до примерно 5,4 Гбит/с. Энергозатраты на передачу одного бита при этом сократятся более чем на 25%.

Серийный выпуск G11 намечен на вторую половину 2027 года.

Источник: iXBT