Китай вопреки санкциям США запустил производство собственной памяти HBM3E

Китайский производитель ChangXin Memory Technologies (CXMT) запустил тестовый выпуск памяти HBM3E, которая пользуется колоссальным спросом в сфере искусственного интеллекта и высокопроизводительных вычислений. В случае успешного завершения этого этапа, коммерческое производство может стартовать уже в ближайшее время.

Предсерийный выпуск нацелен на оценку стабильности техпроцесса, процента выхода годных чипов, корректности многослойной компоновки и соответствия готовой продукции жестким стандартам качества.

Параллельно предприятие активно наращивает производственные мощности. По инсайдерским данным, к завершению года суммарный объем выпуска DRAM на заводах CXMT приблизится к 350 тысячам кремниевых пластин ежемесячно, а в дальнейшем планируется дальнейшее масштабирование.

Спецификации своей разработки компания держит в секрете. Стандартные решения стандарта HBM3E задействуют 1024-битный интерфейс на каждый стек, обеспечивая скорость передачи данных от 9,6 Гбит/с на один контакт. При показателе 9,6 Гбит/с пропускная способность одиночного стека способна достигать 1,2 ТБ/с.

Итоговый объем памяти определяется емкостью кремниевых кристаллов и числом слоев. Так, конфигурация из 24-гигабитных кристаллов в восьмислойном исполнении позволяет получить стек емкостью 24 ГБ.

Источник: iXBT