Kioxia и SanDisk показали быструю 218-слойную память и объявили о 332-слойной технологии

Компании Kioxia и SanDisk объявили о прорыве в технологии создания флеш-памяти последнего поколения. Они представили усовершенствованную версию 218-слойной 3D NAND-памяти с более быстрым интерфейсом и улучшенной энергоэффективностью, а также озвучили планы по разработке памяти с 332 слоями.

Эти партнёры в рамках совместного проекта показали значительное продвижение в развитии технологии BiCS. Новая девятая версия (BiCS 9) включает модернизированный NAND-интерфейс на логическом уровне CMOS, интегрированный с текущим 218-слойным модулем памяти. Это позволило достичь большей производительности, одновременно снижая уровень потребляемой энергии.

Ключевым достижением стало увеличение скорости интерфейса NAND-чипа на 33% посредством внедрения технологии Toggle DDR6.0 и протокола SCA, которые обеспечивают раздельное управление и передачу данных. Инновационная технология PI-LTT позволила снизить энергозатраты на 10% при вводе и на 34% при выводе информации. Благодаря этому производительность интерфейса чипа BiCS 9 может достигать 4,8 Гбит/с.

Особенно впечатляет анонс BiCS 10, включающей 332 слоя. Увеличенное число слоёв и усовершенствованное расположение ячеек дадут увеличение плотности записи на 59% в сравнении с предыдущими версиями, BiCS 8 и 9.

В рамках развития многоуровневых технологий памяти китайская корпорация YMTC продолжает оставаться лидером по числу слоёв в своих продуктах. Эксперты предполагают, что в следующем технологическом витке YMTC может достичь или даже превзойти рубеж в 350 слоёв.

Источник: iXBT