Intel возвращается на рынок ОЗУ: технология ZAM от Intel и Softbank обеспечит прорыв в скорости работы нейросетей

Корпорация Intel намерена восстановить свое присутствие в индустрии оперативной памяти. В тесном сотрудничестве с Saimemory (дочерним подразделением японского холдинга SoftBank) компания представила инновационную технологию Z-Angle Memory (ZAM). Архитектурная особенность новинки отражена в названии: в отличие от стандартных стеков, где слои пронизаны вертикальными соединениями, в ZAM реализована ступенчатая топология с диагональными межчиповыми связями.

Ключевые технологические достижения ZAM включают:

• Гибридное соединение «медь-медь»: данная методика позволяет формировать из кремниевых слоев единый монолитный блок, что существенно минимизирует термическое сопротивление;
• Оптимизация емкостных компонентов: сокращение числа конденсаторов упростило внутреннюю архитектуру и позволило повысить плотность хранения данных;
• Высокоскоростная интеграция через EMIB: использование фирменного интерфейса Intel Embedded Multi-die Interconnect Bridge обеспечивает беспрецедентную скорость обмена данными между памятью и ИИ-процессором.

По предварительным оценкам, энергопотребление ZAM будет на 40–50% ниже, чем у современных решений стандарта HBM. Объем памяти на одном кристалле может достигать 512 ГБ, а применение диагональных соединений заметно упрощает процесс масштабирования многослойных структур.

Для Intel этот шаг является историческим реваншем: компания фактически не занималась разработкой DRAM с 1985 года, когда под натиском японских конкурентов была вынуждена покинуть этот рынок. В эпоху стремительного развития искусственного интеллекта Intel рассчитывает вновь занять статус ключевого игрока. SoftBank, в свою очередь, намерен внедрять ZAM в специализированные процессоры (ASIC) собственной линейки Izanagi.

Источник: iXBT