Intel рассказала о своих перспективных разработках на конференции в Китае

Сегодня в условиях непрекращающейся «гонки техпроцессов» уже довольно сложно уследить за тем, какая из полупроводниковых компаний успешнее внедряет новые технологические нормы, а также насколько декларируемые «нанометры» соответствуют реальному положению вещей. В Intel настаивают на том, что их 10-нм техпроцесс тоньше аналогичных норм Samsung и TSMC, аргументируя свои слова соответствующими фото, эскизами и графиками.

В рамках серии докладов на конференции Intel 2017 Technology and Manufacturing Day в Пекине старший научный сотрудник Intel Марк Бор (Mark Bohr) рассказал об особенностях 10-нм технологии, отметив, что компания из Санта-Клары опередила конкурентов на одно поколение. Так, на один квадратный миллиметр кремниевого чипа поместится примерно вдвое больше 10-нм транзисторов Intel (100,8 млн), чем Samsung (51,6 млн) и TSMC (48,1 млн). По мнению г-на Бора, упорядочивание названий техпроцессов по определённому набору характеристик могло бы устранить путаницу, однако, похоже, Samsung и TSMC пока не заинтересованы в стандартизации или своего рода джентльменском соглашении по данному вопросу.

Другой функционер, Стейси Смит (Stacy Smith), являющийся главой группы Manufacturing, Operations and Sales («Производство, операции и продажи») корпорации Intel, продемонстрировал кремниевую пластину с кристаллами Cannon Lake на основе «самых плотных в мире транзисторных и металлических элементов». Этим дело не ограничилось: по 10-нм норме будут серийно выпускаться FPGA (программируемые чипы) Falcon Mesa для корпоративных заказчиков. Как отмечено в пресс-релизе, они обеспечат «новый уровень производительности для поддержки растущих требований к пропускной способности со стороны дата-центров, корпоративных и сетевых сред».

Упомянула Intel и о сотрудничестве с ARM, в рамках которого SoC компании на 10-нм техпроцессе Intel и ядрах Cortex-A75 работали в тестовом режиме на частоте свыше 3 ГГц. Отдельно чипмейкер развивает экономичный 22-нм техпроцесс 22FFL (FinFET Low Power) для мобильных SoC, характеризующийся минимальными токами утечки и скромным энергопотреблением на частотах свыше 2 ГГц.

Одним из важных анонсов Intel на 2017 Technology and Manufacturing Day стало объявление о начале поставок твердотельных накопителей для дата-центров, использующих 64-слойную флеш-память 3D TLC NAND. Прежде данная технология была опробована в потребительском сегменте, а именно в SSD 545s.