Intel приступила к монтажу оборудования на новом заводе в Аризоне

Корпорация Intel приступила к развёртыванию профильного оснащения на строительной площадке предприятия Fab 62 в Аризоне. Новый объект станет шестым по счёту в производственном кластере Ocotillo, а его ввод в эксплуатацию намечен на финал 2028 года. Параллельно технологический гигант подтвердил практическое применение передового оборудования High-NA EUV в рамках техпроцессов на исследовательской базе D1X в штате Орегон.

На территории Fab 62 кипят строительные работы и параллельно монтируются высокоточные системы. Нага Чандрасекаран, занимающий пост исполнительного вице-президента и директора по производству в Intel, подчеркнул, что проект успешно преодолел стадию возведения капитальных конструкций, переключившись на интеграцию сложнейшего оборудования и последующую отладку технологических регламентов.

Руководство пока воздерживается от публикации сведений о проектной мощности завода, суммарных инвестициях и финальном техпроцессе, который ляжет в основу выпуска продукции. В качестве приоритетных кандидатов рассматриваются нормы Intel 18A, 18A-P и более тонкий Intel 14A, тем не менее окончательный вердикт ещё не вынесен.

Соседняя фабрика Fab 52 уже официально переведена на усовершенствованный узел Intel 18A. Данный подход объединяет инновационные транзисторы архитектуры RibbonFET и технологию тылового питания PowerVia, которая переносит силовые шины на оборотную сторону подложки. Подобное разделение сигнальных и питающих цепей эффективно устраняет узкие места при разводке плат, что критически важно для современных кремниевых кристаллов с колоссальной плотностью размещения транзисторов и жесткими требованиями к энергоэффективности.

Тем временем в Орегоне Intel активно внедряет литографию High-NA EUV — эволюционную ступень развития ультрафиолетовой литографии с экстремально коротким спектром излучения. Установки уже органично вписались в конвейер площадки D1X: их задействуют, в частности, при создании отдельных элементов микросхем линейки Panther Lake. Это свидетельствует о переходе технологии из разряда экспериментальных разработок в практическую плоскость, хотя о полном отказе от традиционных методов при формировании всех слоев кремния речь пока не идет.

Главный конструктивный прорыв аппаратов High-NA EUV заключается в увеличении числовой апертуры оптики с отметки 0,33 до 0,55. За счет этого инженеры могут формировать миниатюрные микроархитектуры с беспрецедентным оптическим разрешением. Обратная сторона медали — уменьшение рабочего поля экспозиции, обусловленное особенностями анаморфотной оптики. Из-за этого отдельные масштабные элементы чипов приходится прорабатывать в несколько приемов с ювелирным совмещением зон, что предъявляет повышенные требования к стабильности всего цикла.

Финансовая целесообразность перехода на High-NA EUV пока остается предметом дискуссий. С одной стороны, высокая разрешающая способность позволяет сократить число циклов многократного экспонирования (multi-patterning). С другой — сами машины чрезвычайно дороги, а их интеграция требует пересмотра стандартов фотошаблонов, используемых материалов и измерительной базы. Итоговая себестоимость годного полупроводникового кристалла напрямую зависит от его физической площади, пропускной способности станков и процента выхода пригодной продукции.

Ранее в пресс-релизах Intel фигурировала цифра более чем в 1 миллион обработанных кремниевых пластин с использованием High-NA EUV на различных стадиях R&D. Тем не менее этот показатель нельзя напрямую приравнивать к объему готовых к отгрузке процессоров. Для объективной оценки зрелости метода куда важнее такие параметры, как стабильность литографических операций, уровень брака и реальная производительность оборудования.

Наряду с этим американская корпорация продолжает расширять свою инфраструктуру и в других штатах. Так, на стройплощадке Ohio One в Нью-Олбани уже смонтировали базовую несущую конструкцию одного из корпусов будущей мегафабрики, хотя сроки запуска конвейера там пока не анонсируются. Кроме того, в Аризоне и Нью-Мексико активно развиваются передовые методы пространственной компоновки EMIB и Foveros, а в Санта-Кларе возводится специализированный завод по выпуску фотошаблонов.

Ключевой вызов для подразделения Intel Foundry заключается в необходимости убедить потенциальных клиентов в своей способности массово производить чипы по новейшим нормам, удерживая прогнозируемую себестоимость и высокий процент выхода годных кристаллов. Старт монтажных работ на Fab 62 — весомый шаг в направлении укрепления позиций американского производителя, однако окончательная спецификация завода и графики его выхода на проектную мощность ещё уточняются.

Источник: iXBT