Японский стартап SAIMEMORY, сформированный в результате стратегического альянса SoftBank и корпорации Intel, получил государственное одобрение: проект по развитию инновационной технологии ZAM стал участником программы поддержки NEDO (Post-5G Infrastructure Enhancement R&D Project). Это решение гарантирует частичное государственное финансирование разработки.
Концепция ZAM (Z-Angle Memory) позиционируется как перспективная альтернатива актуальной HBM-памяти, востребованной в сфере высокопроизводительных ИИ-вычислений. Уникальная вертикальная архитектура с инновационной топологией размещения слоёв призвана радикально улучшить теплоотвод, повысить плотность хранения данных и пропускную способность, при этом сократив энергозатраты на 40% относительно традиционных решений HBM.
Актуальность проекта обусловлена критическим дефицитом памяти на рынке ИИ-инфраструктуры. Несмотря на стремительное развитие графических процессоров, именно память остается «узким горлышком» всей экосистемы. Нынешний стандарт HBM отличается высокой себестоимостью, сложностью производства и ограниченным числом поставщиков, тогда как ZAM обещает стать более доступной и тиражируемой альтернативой.
Работа над технологией ведется уже несколько лет: Intel ранее занималась исследованиями межкристальных соединений, а SoftBank в 2024 году основал SAIMEMORY для вывода архитектуры на коммерческие рельсы. В пул партнеров и инвесторов проекта также вошли Fujitsu и Банк развития Японии.
В рамках сотрудничества с NEDO, которое рассчитано на 3,5 года, SAIMEMORY планирует направить около 8 млрд иен (порядка 55 млн долларов) на научно-исследовательские и опытно-конструкторские работы до завершения 2027 финансового года. Долгосрочная стратегия предусматривает переход к массовому производству ZAM к 2029 году.
Успешная реализация инициативы позволит ZAM бросить вызов доминированию HBM и поможет Японии укрепить свое влияние на мировом рынке полупроводниковых компонентов.
Источник: iXBT
