Графеновые структуры позволили создать сверхтонкую память без использования привычных ферроэлектриков

Научный коллектив под руководством профессора Ёнгука Кима из южнокорейского института DGIST при участии коллег из KAIST представил инновационную концепцию запоминающих устройств для ультратонкой электроники. Исследователи спроектировали гетероструктуру, в которой слой гексагонального нитрида бора (hBN) интегрирован между графеном и хлоридом рутения (α-RuCl₃).

В этой многослойной конфигурации на границах разделов фаз возникают спонтанные электрические диполи. Возможность управления их ориентацией позволяет использовать систему для надежной записи данных. По принципу действия технология сопоставима с классическими сегнетоэлектриками, однако она лишена их архитектурных и эксплуатационных недостатков.

Экспериментальные данные подтвердили работоспособность прототипа при экстремальном охлаждении до −243^°C (30 K). Устройство продемонстрировало впечатляющую энергонезависимость, сохраняя записанную информацию более пяти месяцев без внешнего питания. Процесс переключения состояний инициируется исключительно электрическими импульсами и не подвержен влиянию магнитных полей, что обеспечивает высокую стабильность и минимизирует энергопотребление.

Данный прорыв имеет ключевое значение для проектирования перспективных систем памяти, ориентированных на квантовые вычисления и создание электроники с предельно низким током потребления.

Источник: iXBT