Завтра с утра, 8 декабря 2022 года, жители Земли станут свидетелями сразу трёх интересных астрономических событий — полнолуния, противостояния Марса и его покрытие полной Луной. Всё это произойдёт практически одновременно — с 7:00 до 9:00 по московскому времени.
Об этом рассказала пресс-служба Московского планетария. Как отмечают эксперты планетария, это уникальное событие, поскольку покрытие совпадёт с моментом противостояния, Луна будет полной, видимые размеры и блеск Марса – максимальными за двухлетний период. Такой ряд совпадений делает условия максимально благоприятными для наблюдения.
Полнолуние наступит в 7:10 по Москве, а Марс окажется в точке противостояния Солнцу в 8:35 по Москве в 82,2 млн км от Земли. Противостоянием называется сближением Земли и Марса, когда Солнце, Земля и Марс находятся на одной линии.
По данным Московского планетария, покрытие Марса Луной произойдет утром 8 декабря с 05:16 до 09:13 по московскому времени. Его будет видно из северных и восточных регионов Европейской части России, кроме юго-восточных районов, где Луна и Марс уже зайдут за горизонт.
В Москве явление произойдет утром с 7:58 до 8:37, однако Луна и Марс будут находиться низко над горизонтом и увидеть покрытие Марса Луной будет почти невозможно.


Эксперт по кибербезопасности: телевизоры Samsung на Tizen ведут масштабную слежку за владельцами, и это может вызывать «тормоза» в работе ТВ
Четырёхкратный скачок за год: 256-гигабайтные SSD дорожают, и рост цен может продолжиться
Очень мощная башня с пятилетней гарантией и весом 1,5 кг: DeepCool показала башенный кулер StationX 622, рассчитанный на отвод до 540 Вт
Thermalright выпустила СЖО с изогнутым AMOLED-дисплеем 2400 × 1080 и «эффектом парения»
Мини-ПК размером с карманный по цене бюджетного смартфона: Acemagic W1-5400U с богатым набором портов обойдётся всего в $235
OnePlus Ace 7 Pro получит аккумулятор на 9000 мАч, 100-ваттную зарядку, голубой корпус и настраиваемую подсветку
Роботы научились прыгать и хватать предметы благодаря живым мышцам: био-гибридный прорыв ETH Zurich
Micron вдвое увеличила плотность флеш-памяти и преодолела порог в 400 слоёв NAND