Флэш-память Samsung eUFS 3.1 для смартфонов оказалась в 3 раза быстрее, чем eUFS 3.0

Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства флэш-памяти eUFS 3.1 емкостью 512 ГБ, которую можно использовать в мобильных телефонах, планшетах и прочих мобильных устройствах.

Новая флэш-память eUFS 3.1 демонстрирует пиковую скорость последовательной записи 1200 МБ/с, а также пиковую скорость чтения до 2100 МБ/с. Данная флэш-память также доступна и в версиях на 128 и 256 ГБ.

Стоит обратить внимание на то, что в конце февраля Samsung Electronics сообщила о начале массового производства скоростных модулей флэш-памяти eUFS 3.0 объемом 512 ГБ. Заявленная пиковая скорость последовательной записи составляет 410 МБ/с. То есть новая флэш-память Samsung eUFS 3.1 оказалась в 3 раза быстрее по этому параметру.

Максимальная производительность флэш-памяти Samsung eUFS 3.1 на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 100 000 IOPS, а записи — 70 000 IOPS.