DARPA создаст в США завод по выпуску микроэлектроники нового поколения

Агентство перспективных исследовательских проектов Министерства обороны США (DARPA) собирается возвести в Техасе современный комплекс для производства микроэлектроники нового поколения.

В рамках инициативы планируется переоборудовать завод по выпуску микросхем, который был введён в эксплуатацию ещё в 1980-е годы, и преобразовать его в передовой исследовательско-производственный центр. На реализацию проекта выделено $1,4 млрд инвестиций.

Предприятие будет специализироваться на трёхмерной гетерогенной интеграции (3DHI), позволяющей интегрировать микросхемы различного типа и материала в одном корпусе. Ключевая цель проекта — устранить существенный разрыв между экспериментальными разработками и их промышленным тиражированием.

По прогнозам, через пять лет инициатива должна стать финансово самодостаточной: помимо исследований, объект перейдёт к серийному производству чипов для коммерческих и, предварительно, государственных заказов.

Источник: iXBT