Чипы HBM4E от Samsung прошли квалификацию Nvidia: компания увеличит доходы

По данным портала Naver, перспективная память HBM4E от компании Samsung успешно преодолела этап верификации со стороны Nvidia, что открывает южнокорейскому технологическому гиганту путь к статусу официального поставщика для лидера современной рыночной капитализации.

Речь идет о передовых 12-ярусных микросхемах HBM4E. Еще в конце сентября текущего года данные полупроводниковые решения успешно справились с квалификационными процедурами как в лабораториях Nvidia, так и у других ключевых игроков индустрии.

Новая память HBM4E разработки Samsung обеспечивает внушительный объем в 48 ГБ на один вертикальный стек, при этом скорость обмена данными составляет 14 Гбит/с на один контакт с потенциалом масштабирования до 16 Гбит/с, а совокупная пропускная способность достигает впечатляющих 3,6 ТБ/с. Данные показатели превосходят характеристики памяти HBM4 более чем на 20%.

Примечательной особенностью HBM4E от Samsung является синергия ячеек DRAM шестой генерации 10-нанометрового уровня и специализированного базового логического кристалла. Последний выпускается силами подразделения Samsung Foundry по передовому 4-нанометровому технологическому процессу — аналогичному тому, что задействован в производстве фирменных однокристальных систем Exynos.

Источник: iXBT