Японские ученые создали память в 250 раз быстрее DRAM на основе антиферромагнетика
Исследователи из Токийского университета в сотрудничестве с институтом RIKEN объявили о значимом достижении в разработке запоминающих устройств следующего поколения. Специалистам удалось трансформировать магнитное состояние антиферромагнетика на основе тримарганца-олова (Mn3Sn) посредством электрического импульса, длительность которого составляет всего 40 пикосекунд. Этот показатель примерно в 250 раз превосходит скорость доступа к ячейкам современной DRAM-памяти, что прокладывает путь к...








