Samsung представила ИИ-память, способную превзойти HBM5 в 8 раз
В ходе мероприятия Future of Memory and Storage (FMS) 2026 корпорация Samsung Electronics презентовала передовые решения для нейросетевых вычислений. Среди ключевых анонсов — инновационная концепция памяти zHBM, опытный образец V10 Bonding V-NAND, насчитывающий свыше 400 слоев, а также актуализированная стратегия развития серверной памяти для задач искусственного интеллекта. Флагманским анонсом стала архитектура zHBM, предполагающая вертикальную интеграцию...





%20copy_large.jpg)



