Ещё год назад мы сообщали, что компании Toshiba и SanDisk ведут активные исследовательские работы по созданию недорогой многослойной флеш-памяти под названием BiCS (bit cost scalable) 3D NAND и планируют начать её производство в 2016 году. Ныне SanDisk принадлежит одному из крупнейших производителей различных устройств хранения данных, корпорации Western Digital, и является её подразделением, но ранее заключённый альянс сохранил силу, и на днях компании объявили об успешном создании первых в мире 64-слойных чипов флеш-памяти BiCS 3D NAND, способных хранить по три бита в каждой ячейке.
Первые чипы BiCS 3D NAND уже существуют в кремнии
Первые небольшие по объёмам поставки новых микросхем начнутся уже в конце этого года, а в полную силу производство должно развернуться в первой половине следующего, 2017 года. В настоящее время ведётся монтаж производственных линий. В сравнении с традиционной на сегодня 48-слойной флеш-памятью, выпускаемой Samsung, BiCS 3D NAND может предложить в 1,4 раза более плотную упаковку данных. Это позволит создать либо более ёмкие чипы в аналогичном форм-факторе, либо чипы более компактных размеров при неизменной ёмкости. К тому же BiCS 3D NAND имеет меньшую себестоимость производства, а значит, и цена конечных продуктов на базе этой памяти будет ниже. С надёжностью же у этой технологии дела обстоят отлично, как и у других версий 3D NAND.
Устройство и преимущества BiCS 3D NAND
Первыми ласточками станут чипы BiCS 3D NAND ёмкостью 256 Гбит, что в пересчёте на более привычные пользователю единицы составляет 32 Гбайт. Иными словами, небольшой флеш-накопитель на базе новой технологии Toshiba и WD будет состоять всего из двух чипов: контроллера и собственно микросхемы BiCS 3D NAND. Именно эта ёмкость пока является основной в планах альянса на 2017 год, но в будущем партнёры по бизнесу рассматривают возможность вывода на рынок аналогичных микросхем ёмкостью 512 Гбит (64 Гбайт). Как видим, предприятие, затеянное SanDisk и Toshiba, увенчалось полным успехом. План был даже перевыполнен: первоначально технология BiCS NAND была 48-слойной. Ждём появления первых устройств на базе новой многослойной памяти.
Источник:
