По данным Nikkei, две китайские фирмы по производству полупроводниковой продукции — Quanxin Integrated Circuit Manufacturing (QXIC) и Hongxin Semiconductor Manufacturing Co (HSMC) — с прошлого года переманили более 100 опытных инженеров из TSMC. Обе компании получают государственное финансирование в рамках амбициозного плана Китая по обеспечению полной независимости индустрии электронного оборудования к 2025 году. Компании были созданы совсем недавно, в 2017 году, и начали нанимать специалистов-инженеров и руководителей со связями в полупроводниковой промышленности из TSMC. Они начали разработку 14-нанометрового техпроцесса с использованием FinFET, который можно будет использовать для выпуска широкого спектра электронных компонентов, включая SoC, ASIC, трансиверы и устройства хранения.
По оценке Nikkei, за год Тайвань потерял более 3000 инженеров полупроводниковой отрасли, которые перешли на работу в компании на материке. Источники в TSMC проинформировали японское издание, что компания «очень обеспокоена» бегством талантов в Китай, хотя и не считает, что существует какая-либо непосредственная опасность для производства или технологического превосходства. Информатор отмечает, что удержать специалистов можно не принуждением, а материальными стимулами.
Без 60 FPS даже на PS5 Pro: разработчики The Blood of Dawnwalker раскрыли детали консольной производительности
В России наладят выпуск микросхем 130 и 250 нм на новом крупном заводе мощностью 15 тысяч пластин в месяц
LG Electronics впервые продала установку прямой лазерной литографии с точностью 1,5 мкм, работающую без фотомасок
22 вылета, 30 часов в воздухе и пять прерванных взлетов: новейший российский Ил-114-300 успешно выдержал проверку экстремальной жарой
В Сеть до анонса утекли изображения Sony WH-1000XM4C — обновленной версии популярных наушников
Неанонсированный флагманский процессор Dimensity 9600 Pro появился на китайской барахолке всего за $30
Тонкий Vivo V80 Lite 5G с аккумулятором на 10 000 мАч и камерой 50 Мп показали на официальных изображениях
Из молекулярных слоев тоньше нанометра создали действующую электронику