ВНИИЭФ получит почти 1,5 млрд рублей на разработку передовой установки для выпуска микрочипов

Входящий в состав госкорпорации «Росатом» Российский федеральный ядерный центр ВНИИЭФ займется созданием отечественного оборудования для жидкостного химического травления кремниевых пластин. На реализацию опытно-конструкторской инициативы под шифром «Спрей» Министерство промышленности и торговли выделило 1,43 млрд рублей. Полный цикл разработки планируется завершить к концу осени 2029 года.

Инновационный комплекс рассчитан на работу с полупроводниковыми заготовками диаметром до 200 мм и займет свое место на предприятиях отечественного микроэлектронного выпуска. Система в автоматическом режиме способна осуществлять комплекс операций, включая химическое травление, прецизионную очистку, промывку и последующую сушку.

Согласно техническому заданию, установка за один цикл способна обрабатывать до сотни пластин, что эквивалентно четырем стандартным кассетам. Комплекс рассчитан на взаимодействие с широким спектром химических реагентов и оснащен изолированной системой SMIF для автоматизированной загрузки и выгрузки материалов, что сводит к минимуму вероятность их загрязнения.

К будущему оборудованию предъявляются строгие эксплуатационные требования: неравномерность травления не должна превышать 5%, показатель наработки на отказ установлен на уровне не менее 2000 часов, а заявленный срок службы составляет не менее семи лет.

Данная разработка реализуется в рамках масштабной стратегии импортозамещения аппаратуры для выпуска микроэлектроники. В качестве зарубежных аналогов упоминаются решения таких зарубежных лидеров, как американские бренды Shellback и Siconnex, а также японская корпорация Tokyo Electron. При этом в проектной документации подчеркивается полное отсутствие прямых российских конкурентов у создаваемой системы.

Особое внимание уделено технологическому суверенитету: ключевые модули — рабочая камера, контур подачи реактивов, центрифуга, главный управляющий блок и программное обеспечение — должны быть спроектированы и выпущены исключительно в России. Применение зарубежных комплектующих допускается лишь после официального одобрения со стороны заказчика.

Для саровского ядерного центра это уже второй крупный государственный заказ в сфере микроэлектроники за последнее время. Ранее учреждение выиграло тендер почти на 993 млн рублей на создание комплекса для бондинга и дебондинга полупроводников. Таким образом, всего за полмесяца научно-производственная база привлекла свыше 2,4 млрд рублей бюджетных средств на развитие отечественной микрочиповой индустрии.

Основанный в 1946 году в Сарове РФЯЦ-ВНИИЭФ исторически известен как головное предприятие по разработке первых отечественных термоядерных и атомных боеприпасов.

Источник: iXBT