Видеокарты NVIDIA Quadro RTX получили память Samsung GDDR6
Сегодня компания NVIDIA представила новую архитектуру графических процессоров Turing и первые видеокарты на её основе — профессиональные решения Quadro RTX. В свою очередь компания Samsung не упустила возможность похвастаться, что для новых видеокарт, NVIDIA выбрала именно её микросхемы памяти GDDR6.

Корейская компания отмечает, что в новых видеокартах NVIDIA используются микросхемы памяти GDDR6 объёмом 16 Гбит (2 Гбайт), которые обладают пропускной способностью 14 Гбит/с на контакт, что обеспечивает общую пропускную способность чипа в 56 Гбайт/с. Для сравнения, микросхемы GDDR5 компания Samsung предлагает только объёмом до 8 Гбит (1 Гбайт), и их пропускная способность составляет 8 Гбит/с на контакт. То есть новая память предлагает двукратный прирост объёма и увеличение пропускной способности на 75 %.

Кроме того, память GDDR6 от Samsung потребляет на 35 % меньше энергии, чем память GDDR5. Новая память работает под напряжением 1,35 В, тогда как для GDDR5 этот показатель составляет 1,55 В.

Напомним, что в новом семействе профессиональных видеокарт NVIDIA представлено три модели: Quadro RTX 8000, RTX 6000 и RTX 5000. Самая старшая модель оснащена 48 Гбайт видеопамяти, средняя — 24 Гбайт, и младшая — 16 Гбайт. В первых двух случаях используется 384-битная шина, а в последнем — 256-битная. Это обеспечивает пропускную способность подсистемы памяти в 672 и 448 Гбайт/с соответственно.
Источник: 3DNews
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов