В Samsung начат выпуск первых модулей eUFS ёмкостью 512 Гбайт для смартфонов

Компания Samsung Electronics сообщила о начале массового производства первых в отрасли флеш-модулей eUFS (embedded Universal Flash Storage) вместимостью 512 Гбайт для мобильных устройств следующего поколения.

В составе новых решений применены 64-слойные чипы V-NAND ёмкостью 512 Гбит в количестве восьми штук. Кроме того, в состав модулей входит контроллер. Для максимизации производительности и энергетической эффективности применены новейшие проприетарные технологии Samsung.

Современная конструкция микросхемы 64-слойной памяти 512 Гбит V-NAND и новая технология управления питанием в контроллере eUFS минимизируют неизбежное увеличение энергопотребления при наращивании ёмкости. Кроме того, чип контроллера ускоряет процесс сопоставления, преобразуя адреса логических блоков в адреса физических блоков.

Утверждается, что новые модули обеспечивают возможность последовательного чтения информации со скоростью до 860 Мбайт/с. Последовательная запись данных может осуществляться со скоростью до 255 Мбайт/с.

Что касается показателя IOPS (операций ввода/вывода в секунду), то при произвольном чтении он достигает 42 тыс., при произвольной записи — 40 тыс.  Благодаря высокой скорости произвольной записи памяти eUFS, которая примерно в 400 раз превосходит скорость в 100 операций ввода/вывода в секунду, характерную для традиционных карт microSD, пользователи мобильных устройств могут полноценно пользоваться мультимедийными функциями, например, вести серийную съёмку в высоком разрешении, а также искать файлы и загружать видео в режиме просмотра с двумя приложениями.

Изделия рассчитаны на применение во флагманских смартфонах, фаблетах и планшетах. Ёмкости в 512 Гбайт хватит для хранения обширной коллекции мультимедийных материалов — фильмов, видеоклипов, изображений высокого разрешения и пр. Кроме того, благодаря высокой производительности накопители обеспечат поддержку самых требовательных приложений. 

«Новая память Samsung 512 Гбайт eUFS является наилучшим решением встроенной памяти для смартфонов премиум-класса нового поколения, так как позволяет преодолеть потенциальные ограничения системной производительности, которые могут наблюдаться при использовании карт microSD», — говорит южнокорейский гигант.

Таким образом, можно предположить, что будущие смартфоны Galaxy S9 в топовой конфигурации будут комплектоваться флеш-накопителем вместимостью 512 Гбайт.