В Samsung Galaxy S9 будет больше встроенной памяти, чем в iPhone X

В Сети появилась информация, что максимальная версия Samsung Galaxy S9 получит 512 Гб встроенной памяти с новым стандартом eUFS.

В Samsung планируют полностью отказаться от карт памяти microSD, которые используются в большинстве смартфонов. Компания начала производство первой в мире 512 Гб флеш-памяти, которая использует новый стандарт eUFS. Напомним, что iPhone X в максимальной комплектации имеет всего лишь 256 Гб памяти.

Встроенная память быстрее, чем самая быстрая карта памяти. Благодаря новому стандарту eUFS получилось достигнуть скорости 860 Мб/c – на чтении и 255 Мб/с – при последовательной записи. То есть теперь фильм объемом 5 Гб можно передать на устройство за 6 секунд. 

Ожидается, что данная память впервые будет установлена в Galaxy S9 и Galaxy S9+, которые анонсируют на выставке CES 2018.