В России создали многолучевой литограф, превосходящий стандартные аналоги в 3000 раз

Отечественные исследователи успешно завершили научно-исследовательскую стадию разработки отечественного многолучевого электронного литографа — инновационного оборудования, которое в перспективе послужит основой для выпуска полупроводников по топологическим нормам вплоть до единиц нанометров. Об этом информируют «Известия».

На данный момент эксперты подвели итоги изысканий и сформировали проект перспективной установки. Следующим шагом станут опытно-конструкторские мероприятия, а создание дебютного рабочего образца, согласно прогнозам авторов проекта, ожидается приблизительно через три года.

Ключевое достоинство инновационного комплекса кроется в его архитектуре. Классические литографические системы задействуют лишь один электронный поток, тогда как отечественное решение базируется на технологии мультикатодов, генерирующих параллельный массив автономных лучей. Это кардинально ускорит процесс экспонирования кремниевых пластин.

По предварительным расчетам инженеров, стандартный однолучевой аппарат затрачивает на обработку одной кремниевой пластины от полутора до двух недель. Перспективная многолучевая установка справится с аналогичным объемом работы за 5–7 минут, что сулит колоссальный прирост производительности — примерно в 3000 раз.

Руководитель проекта Евгений Гиваргизов пояснил, что специалистам удалось сконструировать матрицы эмиттеров электронов с радиусом заострения верхушки на уровне 1,5–2 нанометров. Данный показатель, по его утверждению, находится на уровне ведущих мировых достижений.

Еще одним весомым плюсом новой концепции создатели называют архитектурную лаконичность. Зарубежные аналоги обычно опираются на громоздкие схемы деления единого луча с обилием зеркал и оптических компонентов. Российский комплекс создает множество независимых эмитеров непосредственно на единой подложке, что должно удешевить производство, сократить энергозатраты и смягчить требования к сопутствующей инфраструктуре.

Как подчеркивают разработчики, создаваемый литограф окажется востребован для выпуска микрочипов в широком диапазоне техпроцессов — от 350 нм до ультратонких нанометровых норм. Тем не менее они акцентируют внимание на том, что предельная разрешающая способность электронно-лучевого оборудования во многом лимитируется не только самим устройством, но и качеством применяемых фоточувствительных материалов.

Источник: iXBT