Исследователи из Томского государственного университета (ТГУ) создали особый защитный экран для снижения вредного воздействия излучения от мобильных телефонов.

По заявлениям Всемирной организации здравоохранения (ВОЗ), излучение сотовых аппаратов по потенциальному канцерогенному воздействию можно включить в один список с выхлопами автомобилей и хлороформом. В настоящее время мощность излучения мобильных телефонов значительно снизилась, но абоненты стали разговаривать гораздо больше, чем раньше. А это оказывает негативное влияние на организм.
В ряде исследований, проводимых ВОЗ, имеются данные, свидетельствующие о наличии связи между долговременным (более 10 лет) использованием сотовых телефонов и ростом числа возникновения различных злокачественных опухолей. Поэтому защита людей от вредного воздействия электромагнитного излучения является важной задачей.

Разработанный защитный экран состоит из сетки магнитных микропроводов диаметром 5–20 микрометров — это намного тоньше человеческого волоса. Готовая плёнка по толщине незначительно превосходит лист бумаги.
Разработчики говорят, что такой экран существенно ослабляет уровень микроволнового излучения, не ухудшая при этом качество связи. Другим достоинством новинки является небольшая себестоимость — менее 100 рублей. При этом срок службы плёнки неограничен.
В ближайшее время учёные планируют получить патент на свою разработку.
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов