В 2018 году Bluboo выпустит смартфоны Bluboo S2 и Bluboo S3 со сканером в дисплее
Вчера компания Vivo представила на выставке CES 2018 в Лас-Вегасе первый в мире смартфон со встроенным в дисплей сканером отпечатков пальцев. Для реализации этой технологии используется дактилоскопический сенсор, разработанный компанией Synaptics.

Наряду с технологией распознавания лиц (Face ID), ставшей главным модным трендом среди производителей мобильных устройств, использование встроенного в экран сканера является ещё одним решением для удобной разблокировки устройства без уменьшения площади экрана.
Следует отметить, что не только VIVO занимается внедрением этой технологии. Ещё один китайский производитель мобильных устройств Bluboo запустил в прошлом году аналогичный проект и недавно добился значительных результатов.
Как ожидается, новая технология идентификации отпечатков пальцев с использованием встроенного в дисплей сканера будет применена Bluboo уже в этом году в новых смартфонах — Bluboo S2 и Bluboo S3.

Ранее сообщалось, что в Bluboo S2 будет использоваться 21-Мп сенсор IMX230 для поворотной камеры, применение которой позволит максимально увеличить соотношение площади экрана и плоскости фронтальной панели. Так что Bluboo S2 будет полноэкранным смартфоном в буквально значении этого слова, так как на фронтальной панели не будет ничего кроме 5,99-дюймового OLED-дисплея.
Источник: 3DNews
Легендарная StarCraft вернется в 2030 году, но в другом жанре
Крупная покупка: Вьетнам намерен приобрести 55 самолетов Airbus
Умные часы Doogee Anymoving M1 Pro с автономностью до месяца и 170 режимами тренировок оценили в $220
Компания Blizzard представила Diablo V, выход которой запланирован на 2029 год
Американская компания Radia строит уникальный транспортник WindRunner для ракет и спутников, способный взлетать без бетонной полосы
Глава Anthropic призвал замедлить развитие ИИ ради безопасности человечества
Antora разработала безлитиевую батарею, которая запасает электричество в виде тепла в углероде
Ученые создали ультратонкую «грунтовку» толщиной 0,42 нм для сборки транзисторов будущего из атомов