По информации портала DDaily, технологический гигант TSMC намерен скорректировать свои планы в США и запустить линии по производству 3-нанометровых полупроводников на год раньше первоначального графика.
В то время как первая очередь завода в Аризоне уже освоила выпуск продукции по 4-нм техпроцессу, второе предприятие сосредоточится на массовом изготовлении 3-нм чипов. Его ввод в эксплуатацию теперь намечен на 2027 год, хотя ранее старт производства ожидался не ранее 2028-го.
Столь стремительное ускорение темпов продиктовано колоссальным спросом на передовые литографические стандарты (4 нм, 3 нм и 2 нм). Кроме того, TSMC вынуждена реагировать на действия конкурентов: Samsung практически завершила подготовку к развертыванию 2-нм производства в Соединенных Штатах, в чем тайваньский мейкер пока уступает. Также не стоит сбрасывать со счетов Intel, которая активно дорабатывает техпроцесс 18A и уже обзавелась первыми крупными контрактами.
Примечательно, что форсирование экспансии происходит на фоне внутренних сложностей компании. Ранее уже отмечалось, что TSMC борется с существенным ростом капитальных издержек и испытывает острый дефицит квалифицированных специалистов.
Источник: iXBT
