Рассказывая об успехах в освоении технологических норм 5 нм и менее, компания TSMC одновременно представила техпроцесс N12e. По словам TSMC, этот техпроцесс, являющийся развитием техпроцесса 12FFC+, уже используется для рискового производства. Он оптимизирован для элементной базы для периферийных приложений искусственного интеллекта. Этот техпроцесс позволяет объединить высокую производительность и энергетическую эффективность.
В N12e применены транзисторы FinFET со сверхнизкой утечкой. По подсчетам производителя, новый техпроцесс позволяет повысить плотность компоновки логических цепей более чем 1,75 раза по сравнению с предыдущим поколением техпроцессов (22 нм). При этом можно получить примерно полуторакратное повышение производительности или уменьшение энергопотребления вдвое.
Высокая производительность микросхем, изготавливаемых по техпроцессу N12e, дает возможность реализовывать такие сложные функции, как понимание естественной речи или классификация изображений. Низкое энергопотребление позволяет обойтись батарейным питанием без необходимости подключения к электросети, что расширяет сферу применения высокопроизводительных устройств IoT с поддержкой ИИ.
Меньше ёмкость, выше цены: Oppo Find X10 и Find X10 Pro Max добрались до мирового рынка, но стоят заметно дороже, чем в Китае
Маск получил отказ от Intel, TSMC и Micron на покупку заводов для выпуска ИИ-чипов
Илон Маск счёл вероятность того, что мы живём в симуляции, равной 50%, и обвинил Сэма Альтмана в обмане
YMTC из Китая наступает на Samsung и SK Hynix на рынке NAND-памяти, и корейским компаниям приходится модернизировать свои фабрики
Энтузиаст приобрёл GeForce RTX 3090 всего за $50 — в чём подвох?
5G уже доступен жителям 36 российских городов
Крупнейший лайнер семейства Boeing 737 MAX получил сертификат: на 737 MAX 10 у Boeing уже 1555 заказов
Монстр для ноутбуков от Intel: Core Ultra 9 4995HX выйдет с 28 ядрами и 144 МБ кэша