Рассказывая об успехах в освоении технологических норм 5 нм и менее, компания TSMC одновременно представила техпроцесс N12e. По словам TSMC, этот техпроцесс, являющийся развитием техпроцесса 12FFC+, уже используется для рискового производства. Он оптимизирован для элементной базы для периферийных приложений искусственного интеллекта. Этот техпроцесс позволяет объединить высокую производительность и энергетическую эффективность.
В N12e применены транзисторы FinFET со сверхнизкой утечкой. По подсчетам производителя, новый техпроцесс позволяет повысить плотность компоновки логических цепей более чем 1,75 раза по сравнению с предыдущим поколением техпроцессов (22 нм). При этом можно получить примерно полуторакратное повышение производительности или уменьшение энергопотребления вдвое.
Высокая производительность микросхем, изготавливаемых по техпроцессу N12e, дает возможность реализовывать такие сложные функции, как понимание естественной речи или классификация изображений. Низкое энергопотребление позволяет обойтись батарейным питанием без необходимости подключения к электросети, что расширяет сферу применения высокопроизводительных устройств IoT с поддержкой ИИ.
Источник: iXBT
