Технология Foveros должна помочь Intel обойти заминку с освоением все более тонких норм техпроцесса

В ходе мероприятия «День архитектуры 2018» компания Intel рассказала о новой разработке в области объемной компоновки микросхем. Предполагается, что она позволит увеличить степень интеграции в условиях, когда проблемы с освоением все более тонких технологических норм поставили под угрозу соблюдение закона Мура.

Путь к новой технологии показан на иллюстрациях. Первоначально использовалась монолитная компоновка, при которой все элементы сформированы на поверхности одного кристалла.

Технология Foveros должна помочь Intel обойти заминку с освоением все более тонких норм техпроцесса

На следующем этапе последовала интеграция нескольких кристаллов, изготавливаемых по разным нормам, на объединительной подложке. Это позволило повысить процент выхода годной продукции, снизить стоимость, сократить время выхода на рынок.

Технология Foveros должна помочь Intel обойти заминку с освоением все более тонких норм техпроцесса

Новая объемная компоновка сохраняет все достоинства своей предшественницы, одновременно обеспечивая повышение степени интеграции за счет технологии, получившей название Foveros. Ее суть — в размещении одних кристаллов поверх других. Это позволяет радикально пересмотреть архитектуру однокорпусных систем.

Технология Foveros должна помочь Intel обойти заминку с освоением все более тонких норм техпроцесса

По словам производителя, Foveros — первая в отрасли технология объемной компоновки логических микросхем. Как утверждается, она обеспечивает большую гибкость по сравнению с похожей технологией с пассивной объединительной подложкой. Однокорпусная система может быть разделена на большее число блоков, которые располагаются вторым слоем поверх базового кристалла, на котором сформированы блоки ввода-вывода, память SRAM и цепи питания.

Технология Foveros должна помочь Intel обойти заминку с освоением все более тонких норм техпроцесса

Компания Intel рассчитывает выпустить первые микросхемы с использованием Foveros во товром полугодии будущего года. В них 10-нанометровый вычислительный блок будет интегрирован поверх 22-нанометрового базового кристалла.

Источник: iXBT

intel

Читайте также