mram

SK Hynix и Toshiba создали модуль памяти STT-MRAM ёмкостью 4 Гбит

Техника и IT19.12.2016

Компании SK Hynix и Toshiba отрапортовали о новых достижениях в разработке магниторезистивной памяти (MRAM). Информация в MRAM хранится при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. Магнитные элементы сформированы из двух ферромагнитных слоёв, разделённых тонким слоем диэлектрика. Один из слоёв представляет собой постоянный магнит, намагниченный в определённом направлении, а намагниченность другого слоя изменяется под действием...

[Перевод] Спасибо за память: как дешёвая память меняет вычисления

Техника и IT19.10.2016

Ранний Micron DRAM, ёмкость 1 Мбит RAM (random access memory, запоминающее устройство с произвольным доступом) присутствует в любой компьютерной системе, от небольших встроенных контроллеров до промышленных серверов. Данные хранятся в SRAM (статической RAM) или DRAM (динамической RAM), пока процессор работает с ними. С падением цен на RAM модель перемещения данных между RAM и постоянным местом...

IBM и Samsung разработали 11-нм память STTMRAM

Техника и IT05.08.2016

В этом месяце IBM отметила 20-летний юбилей проекта разработки магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM). Изначально цель ставилась в управлении ячейкой при помощи электромагнитного поля. Сейчас проект трансформировался в разработку ячейки памяти с записью информации при помощи передачи момента вращения спина электроном. Такой тип памяти получил название STTMRAM (spin-transfertorqueMRAM). Вместе с IBM над этим проектом...