3D-NAND

Твердотельные накопители постоянно развиваются. Очередным шагом, призванным сделать SSD более успешной заменой магнитных жёстких дисков с точки зрения стоимости хранения данных, стала новая разработка Western Digital. Компания сообщила, что с успехом завершила создание архитектуры памяти 4X, с четырьмя битами на ячейку, для технологии 64-слойной флеш-памяти 3D NAND BiCS3. Новая технология является развитием прежнего решения компании...

Несмотря на ограниченные поставки и дефицит, продажи чипов DRAM и NAND (в денежном выражении) до конца года смогут установить новые рекорды, — такой прогноз содержится в аналитическом обзоре компании IC Insights, занимающейся исследованиями рынка. Хорошей же для конечных потребителей новостью является то, что невзирая на всё это, существенного повышения стоимости памяти во второй половине года...

Компания Western Digital анонсировала завершение разработки очередного поколения фирменной трёхмерной флеш-памяти (3D NAND), BiCS4, которая характеризуется использованием 96 слоёв транзисторов с ловушкой заряда, расположенных по вертикальной оси. Поставки опытных образцов новой флеш-памяти партнёрам компании начнутся во второй половине текущего года, а запуск массового производства запланирован на 2018 год. Как и другие варианты BiCS-памяти, новая BiCS4...

Компания Intel объявила о выпуске новой модели твердотельного накопителя потребительского уровня, Intel SSD 545s. Этот SSD с SATA-интерфейсом представляет собой первый массовый продукт, в котором используется новая трёхмерная 64-слойная память второго поколения производства IFMT — совместного предприятия Intel и Micron. Новаторский накопитель с сегодняшнего дня уже поступил в продажу, однако ввиду достаточно скоромных объёмов производства...

Как известно, нынешней весной компания Western Digital начала ограниченный выпуск первой в индустрии 64-слойной 512-Гбит 3D NAND TLC (с трёхбитовой ячейкой). Производство 32-слойной 3D NAND оставалось в стадии оценочного и не привело к появлению в продаже SSD или иных накопителей компании с данными чипами памяти. Выпуск 48-слойных микросхем 3D NAND компания довела до серийного производства,...

Компания Samsung Electronics в свежем официальном пресс-релизе сообщила о старте серийного производства 64-слойных микросхем флеш-памяти V-NAND (3D NAND) ёмкостью 256 Гбит. Следует уточнить, что ограниченный выпуск 64-слойных микросхем 3D NAND компания Samsung начала в четвёртом квартале прошлого года. Это позволило Samsung уже в январе 2017 года используя новую память начать поставку опытных SSD отдельным клиентам...