3d Nand: новости, трейлеры и обзоры

В начале января как гром среди ясного неба разнеслась информация, что компании Intel и Micron прекратят совместную разработку многослойной памяти 3D NAND, начиная с четвёртого поколения или, конкретизируя, после завершения разработки 96-слойной памяти. Появились спекуляции, что Intel собирается делать ставку на память 3D XPoint, хотя компании продолжат совершенствовать этот тип энергонезависимой памяти рука об руку....

Официальным пресс-релизом подразделение Toshiba Memory Corporation одноимённой японской корпорации анонсировало сроки начала строительства нового завода по выпуску флеш-памяти 3D NAND (фирменное название — BiCS FLASH). Новое предприятие будет построено на сервере страны в префектуре Иватэ вблизи города Китаками (Kitakami). Строительство начнётся в июле текущего года и будет закончено примерно год спустя. Затем компании понадобится ещё...

Как мы сообщали, компании Intel и Micron приступили к массовому производству самой ёмкой и самой плотной в индустрии флеш-памяти 3D NAND ёмкостью 1 Тбит. На основе данных чипов компания Micron разработала серию SSD 5210 Ion вместимостью от 1,92 Тбайт до 7,68 Тбайт, коммерческие поставки которых стартуют нынешней осенью. Значительно увеличить ёмкость микросхем 3D NAND и...

Аналитики компании Applied Materials, одного из крупнейших производителей оборудования для полупроводниковой промышленности, прогнозируют освоение ведущими производителями флеш-памяти технологии «140+»-слойной 3D NAND в 2021 году. Под «140+» подразумевается пока ещё не утверждённое количество слоёв NAND флеш-памяти, которое, по-видимому, будет кратно 16 (144 или 160 слоёв) или 18 (144 или 162). Своё видение будущего памяти 3D NAND представители Applied Materials...

Десятого мая в Шанхае открылась первая в истории Китая выставка «China Brand Day», в ходе которой, по замыслу организаторов, китайские компании должны были продемонстрировать уникальные разработки на уровне передовых мировых проектов. И, конечно же, выставка не обошлась без стенда компании Yangtze Memory Technology, где была показана первая разработанная и произведённая в этой стране многослойная память...

Долгие годы компания Intel разрабатывала и выпускала память NAND-флеш и 3D NAND вместе с компанией Micron. Начиная со следующего года каждая из этих компаний займётся самостоятельной разработкой новых версий многослойной памяти. Напомним, в январе Intel сообщила, что до конца года будет завершена разработка «третьего поколения» 3D NAND в виде 96-слойных чипов и в дальнейшем инженерные...

Мы не раз рассказывали, что основу производства «национальной» памяти DRAM и NAND в Китае начали закладывать три компании — это Yangtze Memory Technologies Company (производство 3D NAND), JHICC (производство DRAM) и Innotron Memory (производство DRAM). Для этого все они к уже имеющимся в их распоряжении заводам примерно полтора года назад начали строить новые фабрики с...

Неделю назад мы рассказывали, что 11 апреля в цеха компании Yangtze Memory Technologies (YMTC) начало поступать первое промышленное оборудование для выпуска «натуральной китайской» многослойной памяти 3D NAND. В ходе торжественного мероприятия по этому поводу глава материнской корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что Yangtze Memory заключила первый контракт на поставку памяти 3D NAND....

Корпорация Micron Technology в этом месяце начала строительство третьего модуля производственного комплекса Fab 10 в Сингапуре. Как и имеющиеся Fab 10X и Fab 10N, новая фабрика будет использоваться для выпуска 3D NAND флеш-памяти. Micron подчёркивает, что расширение Fab 10 не призвано увеличить количество выпускаемых пластин с микросхемами памяти, но предназначено в первую очередь для создания...

Пару дней назад на открытии выставки CITE 2018 (China Information Technology Expo) председатель совета директоров корпорации Tsinghua Unigroup Жао Вейгуо (Zhao Weiguo) сообщил, что с 11 апреля на новом предприятии дочерней компании Yangtze Memory Technology специалисты приступили к монтажу производственного оборудования для выпуска 3D NAND. Вскоре после монтажа и настройки линий завод приступит к производству...

3D-NAND

О вероятной причине прекращения совместных разработок 3D NAND компаниями Intel и Micron

Новый завод поможет Toshiba Memory нарастить выпуск 3D NAND

Подробнее о новой 3D NAND QLC памяти Intel и Micron

В 2021 году ожидается выход «140+»-слойной памяти 3D NAND

Разработка «китайской» 3D NAND потребовала свыше $1 млрд и более 2 лет

Intel удваивает усилия по разработке 3D NAND своими силами

Innotron Memory движется к производству в Китае памяти DDR4

Оформлен первый коммерческий заказ на «китайскую» 3D NAND

Micron расширяет Fab 10 в Сингапуре: Больше слоёв в 3D NAND!

Yangtze Memory приступила к установке оборудования для выпуска 3D NAND