Бывший топ-менеджер Samsung был арестован и обвинен в краже коммерческих секретов для строительства точной копии завода по производству чипов в Китае.
65-летнему бывшему руководителю, чье имя не разглашается, было предъявлено обвинение в нарушении законов о защите промышленных технологий и предотвращении недобросовестной конкуренции.
Его обвиняют в попытке построить полную копию завода Samsung по производству полупроводников в Китае после незаконного получения конфиденциальных данных компании, в том числе основных технических данных завода по производству микросхем, а также схем технологического процесса и проектных чертежей в период с августа 2018 по 2019 годы.
Обвинение также предъявило обвинение шести другим лицам — одному сотруднику субподрядчика Samsung Electronics и пяти сотрудникам китайского производителя микросхем, основанного бывшим руководителем.
Украденные данные содержали информацию о планах помещений, а также восьми основных процессов завода для производства полупроводников. Они используются для производства чипов памяти DRAM и NAND по технологии менее 30 нм.
По данным прокуратуры, планировалось построить копию завода по производству микросхем всего в 1,5 км от существующего завода Samsung в Сиане, западный Китай. Однако планы не реализовались, поскольку тайваньская компания отказалась от инвестиций в размере 6,2 миллиарда долларов.
Вместо этого топ-менеджер Samsung, как сообщается, получил инвестиции в размере 360 млн долларов от китайских инвесторов, которые были потрачены на выпуск пробной партии чипов в прошлом году. Он нанял около 200 человек из Samsung и SK hynix.
Ущерб Samsung из-за кражи коммерческой тайны оценивается в 230 млн долларов.
Источник: iXBT
