Сможет ли Huawei с помощью патента освоить выпуск 2-нм чипов без нового оборудования?

Huawei может получить технологию, позволяющую выпускать 2-нанометровые микросхемы на имеющемся оборудовании без применения экстремального ультрафиолета.

Многошаблонная литография способна предоставить компании SMIC — лидеру среди китайских полупроводниковых производителей — возможность освоить техпроцесс, сопоставимый с 2-нм решениями TSMC, Samsung и Intel.

Разработка Huawei базируется на усовершенствованном процессе самосовмещённого четырёхслойного шаблонирования (SAQP), позволяющем сократить число DUV-экспозиций до четырёх — значительное упрощение по сравнению с традиционными многоступенчатыми схемами, требующими многократного повторения. В настоящее время SMIC использует DUV-оборудование для изготовления 7-нм чипов и, судя по новым SoC Kirin 9030, уже достигла 5-нм уровня.

Идея изложена в патенте, поданном ещё в 2022 году и опубликованном только в этом году. Разумеется, даже при практической осуществимости масса экспертиз и оптимизаций перед выходом на массовое производство может занять годы.

Источник: iXBT